II-VI MARLOW SiC substrate
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硅碳化物(SiC)基板因其独特的电子和热学特性,非常适合用于高性能和高频半导体器件。这种技术具有降低开关损耗、提高功率密度、更好的散热能力和增加带宽能力等优点。在系统层面,这导致解决方案高度紧凑且能效大幅提升。
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N-Type SiC Substrate:碳化硅衬底
N型碳化硅衬底(N-Type SiC Substrate)是用于制造高性能半导体器件的关键材料。该产品具有优异的物理和电学特性,能够在高温、高压和高功率环境下稳定工作。其主要应用领域包括电力电子、微波射频和光电器件等。N型碳化硅衬底具有高纯度、低缺陷密度和良好的结晶质量,能够显著提升器件的性能和可靠性。此外,该衬底还支持多种外延生长技术,如化学气相沉积(CVD)和分子束外延(MBE),适用于制备高质量的碳化硅外延层。该产品的典型尺寸为150毫米和200毫米直径,厚度范围为300至650微米。碳化硅衬底的应用领域广泛,特别是在电动汽车、智能电网、工业电源和通信基站等领域的功率模块中表现尤为突出。
TAISIC MATERIALS CORP. - N-TYPE SIC SUBSTRATE,半导体材料,碳化硅衬底,光电器件,工业电源,微波射频,智能电网,电力电子,电动汽车,通信基站
广告 发布时间 : 2024-12-26
碳化硅晶片 4H导电型 SiC Substrate
该产品是TanKeBlue公司生产的碳化硅(SiC)晶片,属于4H导电型SiC Substrate系列。产品主要用于半导体行业,具有高导电性和良好的热导率,适用于制造高性能的功率器件。该型号的SiC晶片具有以下特点:高纯度、低缺陷密度、良好的机械性能和化学稳定性。产品适用于多种应用场景,如新能源汽车、光伏逆变器、工业电机驱动等。
天科合达 - 4H CONDUCTIVE SUBSTRATE,碳化硅晶片,光伏逆变器,半导体行业,工业电机驱动,新能源汽车
GaN-on-SiC Substrate:高热和耐腐蚀性能的碳化硅涂层基板
GaN-on-SiC Substrate是一种用于薄膜沉积或晶圆处理工艺中的碳化硅涂层基板,具有优异的高温和化学耐腐蚀性能。该产品由Semicorex公司设计,专为外延设备打造,适用于高温和腐蚀性工作环境。其特点是具备良好的密度和保护作用,能够承受高温和腐蚀。SiC涂层提供了一个清洁、光滑的表面,对晶圆处理至关重要。这种基板具有高纯度(99.99995%),晶体结构为FCC β相,密度为3.21 g/cm³,硬度为2500 Vickers,粒径为2~10 μm,热容量为640 J·kg-1·K-1,升华温度为2700℃,抗弯强度为415 MPa(室温四点弯曲),杨氏模量为430 GPa(1300℃四点弯曲),热膨胀系数为4.5 × 10^-6 K^-1,热导率为300 W/mK。此外,它还具有高熔点、高温氧化抗性和耐腐蚀性。GaN-on-SiC Substrate广泛应用于半导体制造领域,
SEMICOREX ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. - GAN-ON-SIC SUBSTRATE,基板,碳化硅涂层基板,单晶生长,晶圆处理,氮化镓外延生长,薄膜沉积
Ultra C SiC Substrate Cleaning Tool - 6英寸和8英寸碳化硅清洗系统
ACM Research的Ultra C SiC Substrate Cleaning Tool专为处理脆弱的碳化硅(SiC)晶圆设计,支持6英寸和8英寸的晶圆尺寸。该工具采用专利的Space Alternated Phase Shift (SAPS) 清洗技术,能够在不损坏设备特性的情况下实现更全面的清洗。它使用SC1(氨/过氧化氢)、SC2(盐酸/过氧化氢)、稀氢氟酸(DHF)和其他化学物质进行清洗,并可配备专有的二元双流喷嘴。该工具支持机械辅助材料去除,能够有效去除表面颗粒和金属杂质。其主要特点包括4、8和12个腔室配置,6英寸和8英寸的卡匣,化学分配系统(CDS),单机器人配备四臂处理多个硅片,1MHz SAPS兆声波,氮气旋转干燥等功能。此外,该工具每小时可处理超过70片晶圆,适用于半导体制造等应用领域。
ACM RESEARCH, INC - ULTRA C SIC SUBSTRATE CLEANING TOOL,清洗系统,碳化硅清洗工具,化合物半导体制造,半导体制造,晶圆制造和回收,晶圆级封装
碳化硅(SiC)衬底在可再生能源中的应用
碳化硅(SiC)衬底作为一种具有广泛应用前景的材料,尤其在太阳能电池和电力电子领域表现突出。SiC衬底具有宽禁带和高热导率的特点,使其成为高效太阳能电池的理想基材。它可以作为氮化镓(GaN)和铟镓氮(InGaN)薄膜的基底,这些薄膜在太阳能电池应用中表现出高效的转换效率,有助于降低太阳能板成本并提高整体太阳能发电量。此外,SiC衬底还广泛应用于可再生能源的电力电子设备中,如风能和太阳能转换系统。基于SiC的器件,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和肖特基二极管,相比传统硅基器件具有更低的功率损耗和更高的效率。SiC器件还可以在更高频率和温度下工作,适用于恶劣环境的应用。随着对清洁和可持续能源技术的需求不断增加,SiC衬底在可再生能源和其他高科技行业中将变得更加普及。
JXT TECHNOLOY CO., LTD - SIC SUBSTRATE,半导体材料,衬底,太阳能电池,太阳能转换系统,电力电子,电动汽车,风能转换系统
ZORRUN SiC 碳化硅系列产品
ZORRUN SiC 碳化硅系列产品包括 SiC 晶锭、SiC 衬底片和 SiC 外延片。这些产品广泛应用于高功率 IGBT、智能逆变器、射频器件、风力发电、新能源汽车、核能等领域。SiC 晶锭具有高纯度和优良的晶体质量,SiC 衬底片具备低缺陷密度和高均匀性,SiC 外延片则具有良好的外延层质量和优异的电学性能。这些产品在高温、高压、高频等严苛环境下表现出色,能够显著提升设备的效率和可靠性。
江苏卓远半导体有限公司 - SIC 晶锭,SIC CRYSTAL INGOTS,SIC 外延片,SIC 衬底片,SIC EPITAXIAL WAFERS,SIC SUBSTRATE SLICE,射频器件,新能源汽车,智能逆变器,核能,风力发电,高功率 IGBT
HPSI-Type SiC Substrate 高质量碳化硅衬底
Synlight公司提供的HPSI-Type SiC Substrate是一款高质量的碳化硅衬底产品,适用于多种高频率和高功率应用。该产品具有优异的晶体质量和加工质量,能够满足客户对高性能碳化硅衬底的需求。产品规格包括直径、厚度、表面取向、TTV、BOW、Warp和表面粗糙度等参数。该衬底适用于5G射频、卫星通信、相控阵雷达、车载WiFi、空中交通管制和TACAN等领域。
同光晶体 - HPSI-TYPE SIC SUBSTRATE,碳化硅衬底,卫星通信,塔康,相控阵雷达,空中交通管制,5G射频,车载WIFI,TACAN
4英寸和6英寸直径碳化硅(SiC)衬底
该产品详细介绍了4英寸和6英寸直径的碳化硅(SiC)衬底的技术规格。这些衬底分为零微管密度(Zero MPD)、生产级、研究级和虚拟级四个等级,每个等级在直径、厚度、晶圆取向、微管密度、电阻率、平整度、粗糙度、裂纹、六方板、多型区域、划痕、边缘缺损和污染等方面都有具体的要求。4英寸衬底的直径为100.0毫米±0.5毫米,厚度分别为350微米±25微米(4H-N)和500微米±25微米(4H-SI),晶圆取向为4.0°偏离<1120>±0.5°(4H-N)或沿<0001>±0.5°(4H-SI)。6英寸衬底的直径为150.0毫米±0.25毫米,厚度同样为350微米±25微米(4H-N)和500微米±25微米(4H-SI),晶圆取向相同。两种尺寸的衬底在微管密度、电阻率、平整度、粗糙度等方面有严格的标准,确保其在半导体制造中的高质量应用。这些衬底广泛应用于功率电子器件、射频器件和其他高性能电子
PLUTOSEMI CO., LTD - 6 INCH DIAMETER SIC SUBSTRATE,碳化硅衬底,4 INCH DIAMETER SILICON CARBIDE (SIC) SUBSTRATE,4 INCH DIAMETER SIC SUBSTRATE,6 INCH DIAMETER SILICON CARBIDE (SIC) SUBS,功率电子器件,射频器件,高性能电子设备
4英寸碳化硅(SiC)切割晶片
Homray Material Technology公司提供的4英寸碳化硅(SiC)切割晶片,是一种未经抛光的碳化硅晶片,适用于测试、切割和抛光机器。该产品分为N型或SI型,厚度约为440微米(N型)或600微米(SI型)。产品直径为100毫米,采用卡式包装。碳化硅晶片的抛光过程分为粗抛光和精抛光,其中粗抛光旨在提高加工效率,而精抛光则采用化学机械抛光技术,通过化学腐蚀和机械磨损的协同作用,实现材料表面的去除和展平。该产品广泛应用于半导体行业。
HOMRAY MATERIAL TECHNOLOGY - 4INCH SIC AS-CUT SUBSTRATE,碳化硅切割晶片,半导体行业
OEM Supply Silicon-On-Insulator Substrates - 碳化硅 SiC
OEM供应的碳化硅(SiC)绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)衬底,适用于半导体和电子器件制造。提供多种直径规格,包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。生长方法为MOCVD,导电类型包括4H-N、6H-N、4H-SI和6H-SI。电阻率范围从0.015-0.028 Ω-cm到>1E5 Ω-cm。衬底厚度为330±25 μm至350-500±25 μm,表面粗糙度最大为1 nm(抛光)或0.5 nm(CMP)。产品经过严格的质量检测,包括XRD、SEM、ICP和GDMS等测试。包装方式为单片晶圆容器密封在铝袋中。
SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES - 碳化硅 SIC,半导体材料,绝缘体上硅衬底,3″,2″,6″,4″,半导体制造,电子器件
SiC Plate for PSS:碳化硅PSS刻蚀载具板
Semicorex生产的SiC Plate for PSS(碳化硅PSS刻蚀载具板)是专为半导体制造设计的先进组件,特别适用于扩散和热处理工艺。该产品具有出色的耐磨性、耐腐蚀性和高温稳定性,广泛应用于各种严苛环境中的衬板和支持部件。Semicorex致力于提供高质量的产品和定制化服务,确保大批量快速交货,并满足客户需求。多年来,公司凭借卓越的产品质量和优质的服务赢得了客户的高度认可,成为其可靠的长期合作伙伴。SiC Plate for PSS在半导体加工过程中起到关键作用,确保了各阶段之间的最佳性能和效率。该产品适用于PSS(Patterned Sapphire Substrate,图案化蓝宝石基板)工艺,用于LED和其他光电器件的制造。其独特的材料特性使其能够在高温和腐蚀环境中保持稳定性能,从而提高生产效率和产品质量。
SEMICOREX ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD. - SIC PLATE FOR PSS,半导体组件,碳化硅板,光电器件制造,LED制造,PSS工艺
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可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
最小起订量: 500pcs 提交需求>
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可定制TEC尺寸范围:1.4~62mm;制冷功率高达258W,工作电压低至1.2~5V,可实现±100℃范围内的精准控温,产品寿命可达10年,在20~95℃范围内,达上百万次的冷热循环。
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